目前在没有极紫外光刻机的情况下生产7纳米芯片的方法有以下几种：
多重曝光（Multiple Patterning）：这是目前最常用的技术之一，通过多次光刻曝光和图案叠加的方式，将设计图案分解成多个较简单的图案，然后逐步叠加形成复杂的7纳米芯片结构。
EUV（Extreme Ultraviolet Lithography）：这是一种新兴的光刻技术，利用极紫外光（波长约13.5纳米）进行曝光，可以实现更高的分辨率和更小的特征尺寸。EUV技术在7纳米工艺中可以用于曝光较小、密集的图案。
DSA（Directed Self-Assembly）：这是一种自我组装技术，通过使用特定的聚合物材料，使其在表面上自发形成所需的图案。DSA可以与传统的光刻技术结合使用，帮助实现更高的分辨率和更小的特征尺寸。
这些方法通常会结合使用，以达到在7纳米工艺下制造复杂芯片结构的要求。多重曝光和EUV是目前最主要的技术，而DSA等新兴技术则在研究和发展阶段，有望在未来的工艺中发挥更重要的作用。这些技术的细节和具体实现方式可能会因制造商和工艺流程而有所差异，因此详细的介绍可能需要参考具体的专业文献和研究成果。